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IET看Q3仍正向,今年营收增10%以上

IET成立于2011年,营运主体于美国德州,为三五族化合物半导体磊晶生产商,营收结构中,砷化镓(GaAs)磊晶片佔42.9%,其终端应用主要为通讯相关如卫星通讯、国防、物联网、车用相关等,磷化铟(InP)磊晶片44.6%,终端应用多为高频量测仪器及光电产业,锑化镓(GaSb)及劳务收入12.0%,锑化镓应用主要来自国防应用,包括夜视系统等,其余为其他。

IET第2季受惠砷化镓、磷化铟客户拉货回温,第2季营收1.69亿元,相较上季仍年减5.3%,第2季转为年增28.3%,毛利率35.6%,优于前季及去年同期,营业利益季减7.5%、年增1210.6%,税后净利1677.4万元,季增1.8%、年增9270.9%,EPS为0.46元。

展望后市,预期第3季客户拉货仍属正向,估计营收、获利可持续保持年成长,全年而言,公司预期,今年合併营收能成长10-20%。IET董事长高永中(见附图)表示,第3季为砷化镓接单旺季,其中,20G与25G VCSEL磊晶片量产订单持续成长,相关新的VCSEL产品研发订单亦增加,RF大厂高频、高速的pHEMT量产订单也复甦。

磷化铟方面,高永中表示,磷化铟产品与网通及光通讯产品相关,其中HBT、PIN及APD磊晶片等,随着5G时代来临订单将持续增加,另外公司将努力通过新产品认证,争取新的量产客户。

包括磷化铟雷射的生物感测晶片已取得阶段性成果,公司将持续与大厂合作研发。高永中表示,今年下半年磷化铟产品线当中,成长幅度最大的应该会是APD,该材料应用于资料中心所需,5G传输环境下,对于APD的要求很高,目前能达到品质要求的寥寥可数,而IET则是具备竞争条件的厂商之一,预期APD未来将扮演磷化铟重要成长动能之一。

锑化镓部分,高永中表示,目前已取得新国防研发订单,同时也接获未来军用装置晶片试产订单,未来将逐步发酵。

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